SKJ-M50-16金属晶体生长炉是用坩埚下降法生长金属晶体的设备，可在真空、大气、惰性气体或其他保护气氛下、在可控的局部压力状态下运行。根据金属的属性，本机可采用中频感应加热电源，以及石墨电阻加热两种加热方式；采用欧陆微处理器与热电偶闭环控制炉温，使结晶体按照一定的直径进行控制。
产品型号 | SKJ-M50-16金属晶体生长炉 |
| 安装条件 | 本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水） 2、电：AC380V 50Hz（63A空气开关），必须有良好接地 3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带Ø6mm双卡套接头） 4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上 5、通风装置：需要 |
主要特点 | 属于小型晶体生长炉，适合于大专院校、研究所使用。 |
技术参数 | 1、电源：208V-240V AC三相 50Hz/60Hz 15KW 2、炉体容积：约100L 3、炉管：石英管或刚玉管 4、坩埚：高纯石墨坩埚 5、加热元件：1800级硅钼棒 6、温控系统：50段控温程序 7、控温精度：±1℃ 8、工作温度：连续工作1600℃，短时间工作1700℃ 9、控温方式：自动程序控温 10、生长方法：区熔法（样品固定不动，炉体向上移动） 11、移动速度：1mm/h-10mm/h可调 12、快速移动：手动 13、结晶转速：1rpm-50rpm 14、真空系统：机械泵和扩散泵 15、极限真空度：10-5torr |
标准配件 | 1、电源控制系统一套 2、机械控制系统一套 |
可选配件 | Kathnal Super-1800级硅钼棒 |
