4"高真空RTP炉OTF-1200X-4-RTP-HV 是一款精巧型快速热处理管式炉，配有4"石英管及高真空系统（机械泵+分子泵）， 是专为半导体或太阳能电池基片（最大3"）的退火而设计。本机采用10KW红外灯管加热，最快升温速度为50℃/s，设有30段温度控制，精度为±1℃。此外，通过RS485口和控制软件可在计算机上实现实时控制和温度曲线显示。
控温仪表操作视频
产品型号 | 4″高真空RTP炉OTF-1200X-4-RTP-HV |
| 安装条件 | 本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水） 2、电：AC380V 50Hz（63A空气开关），必须有良好接地 3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带6mm双卡套接头） 4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上 5、通风装置：需要 |
主要特点 | 1、石英样品架固定在滑动法兰上，使样品装载更加容易。 2、样品架上放置76mm的AlN基片，承载需要退火的样品。AIN具有很高的热导率，可使样品放置的区域有很好的温度均匀性（±5℃）。 3、内插式热偶保证了温度的准确性。 4、采用PID自动温度控制，30段程序，并设有过热和断偶保护功能。 5、已通过CE认证。 |
技术参数 | 1、电源：炉体单相208V-240V，50Hz/60Hz，10KW 高真空系统AC110V/220V任意切换，50Hz/60Hz，110W 2、炉体结构：双层莫来石钢构 3、石英管：外径Ø110mm，内径Ø103mm，长380mm 4、样品架：76mm 5、加热元件：8根红外灯管，灯丝长200mm，丝圈Ø10mm，灯长300mm 6、加热区：102mm×305mm，均匀性±5℃ 7、热偶：K型热偶 8、温度：最高温度1100℃，额定温度1000℃，在1000℃-1100℃下保温时间不得超过600s 9、控温精度：±0.5℃ 10、最快升温速度：RT-800℃内50℃/s，800℃-1000℃内10℃/s 11、高真空系统气动时间：2min 12、真空度：6.3×10-5mbar（在40min中） 13、真空法兰：KF-D25，配有两个高温O型圈密封 14、流量计：16ml/min-160ml/min 15、前级泵流速：在10mbar状态下3.8L/min，50Hz；4.4L/min，60Hz |
产品规格 | 炉体：尺寸760mm×330mm×530mm，重量50kg 高真空系统：尺寸：600mm×600mm×700mm，重量18kg |
