高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP炉、三通道混气系统和高真空机组组成，可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品（尺寸可达3″ ）的退火，并采用 10KW的红外灯进行加热，最快升温速度可达 120℃/s，配有RS485 接口，可以通过控制软件在计算机上控制运行并显示温度曲线。
产品型号 | 高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV |
| 安装条件 | 本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：不需要 2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地 3、气：设备腔室内需充注气体，需自备气瓶气源 4、工作台：尺寸1600mm×600mm×700mm，承重150kg以上 5、通风装置：需要 |
主要特点 | 1、双层Al2O3纤维钢构，无需水冷或风冷。 2、内炉膛表面涂有进口高温氧化铝涂层，可以提高设备的加热效率及延长仪器的使用寿命。 3、PID控制器，可以设置30段升降温程序，并设有过热保护和断偶功能。 4、已通过CE认证。 |
技术参数 | 1、电源：单相208V-240V AC 50Hz/60Hz 10KW 2、石英管：外径Ø110mm，内径Ø103mm，长380mm 3、加热元件：8根红外灯管，灯丝长200mm，丝圈Ø10mm，灯长300mm 4、加热区：300mm 5、工作温度：最高温度1100℃ 6、控温精度：±0.5℃ 7、最高升温速度：RT-800℃时为50℃/s，800℃-1000℃时为10℃/s 8、温控仪：可控硅（SCR）PID自动控制 9、真空法兰：不锈钢，带有水冷接口和针阀，双层高温O型圈密封，长时间在>900℃条件下运行必须采用水 冷，循环水流量为0.5m3/hr 10、真空度：10-2torr（机械泵），10-5torr（分子泵） 11、质量流量计：3个，MFC1范围0-100sccm，MFC2范围0-200sccm，MFC3范围0-500sccm，精度1±%FS 12、混气罐：Ø80mm×120mm |
产品规格 | 尺寸：炉体760mm×330mm×530mm，真空混气系统600mm×600mm×597mm 重量：炉体45kg，真空混气系统75kg |
